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IGBT单管
封装
集电极-发射极电压VCE（V)
集电极电流IC（A)
栅极电压VGE（V)
功耗PD（W）
最大结-壳热阻Rth(j-c)（℃/W）
饱和压降VCE（sat)(V)
栅极导通电压VGE（th)(V)
结温Tj(℃）
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